-
1 stacked-gate avalanche injection MOS
Универсальный англо-русский словарь > stacked-gate avalanche injection MOS
-
2 stacked-gate avalanche injection MOS
Engineering: SAMOSУниверсальный русско-английский словарь > stacked-gate avalanche injection MOS
-
3 Stacked gate Avalanche injection MOS
прил.электр. лавинно-инжекционная МОП ИС с многоуровневым затвором, лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневым затвором, технология лавинно-инжекционных МОП ИС с многоуровневыми затворамиУниверсальный немецко-русский словарь > Stacked gate Avalanche injection MOS
-
4 Stacked-Gate Avalanche Injection MOS
прил.микроэл. лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами, технология лавинно-инжекционных МОП-структур с многоуровневыми затворамиУниверсальный немецко-русский словарь > Stacked-Gate Avalanche Injection MOS
-
5 Stacked gate Avalanche injection MOS
abbr. SAMOSУниверсальный русско-немецкий словарь > Stacked gate Avalanche injection MOS
-
6 Stacked-Gate Avalanche Injection MOS
microel. SAMOSУниверсальный русско-немецкий словарь > Stacked-Gate Avalanche Injection MOS
-
7 avalanche-injection stacked gate mos
MOS design — МОП-структура; МОП-прибор
English-Russian big polytechnic dictionary > avalanche-injection stacked gate mos
-
8 avalanche-injection stacked gate mos
Универсальный англо-русский словарь > avalanche-injection stacked gate mos
-
9 avalanche(-injection) stacked gate MOS
лавинно-інжекційна МОН-структура з багаторівневими затворамиEnglish-Ukrainian dictionary of microelectronics > avalanche(-injection) stacked gate MOS
-
10 avalanche(-injection) stacked gate MOS
лавинно-інжекційна МОН-структура з багаторівневими затворамиEnglish-Ukrainian dictionary of microelectronics > avalanche(-injection) stacked gate MOS
-
11 avalanche-injection stacked gate mos
English-Russian dictionary of microelectronics > avalanche-injection stacked gate mos
-
12 MOS
I сокр. от mean opinion score II сокр. от metal-oxide-semiconductorструктура (типа) металл - оксид - полупроводник, МОП-структура-
adjustable-threshold MOS
-
aluminum-gate MOS
-
back-gate MOS
-
beam-addressed MOS
-
bipolar MOS
-
bulk complementary MOS
-
buried channel MOS
-
buried-oxide MOS
-
clocked complementary MOS
-
complementary MOS
-
depletion MOS
-
dielectric insulated MOS
-
dielectric isolated MOS
-
diffusion self-aligned MOS
-
double polysilicon MOS
-
double poly MOS
-
double-diffused MOS
-
double-implanted MOS
-
dynamic complementary MOS
-
enhancement MOS
-
enhancement/depletion MOS
-
floating-gate avalanche injection MOS
-
floating-gate MOS
-
high-density MOS
-
high-performance complementery MOS
-
high-threshold MOS
-
high-voltage MOS
-
insulated gate MOS
-
ion-implanted MOS
-
isolated gate MOS
-
junction gate MOS
-
lateral planar MOS
-
local oxidation MOS
-
long MOS
-
low-threshold MOS
-
metal-gate MOS
-
micrometer MOS
-
micron MOS
-
n-channel MOS
-
p-channel MOS
-
polysilicon self-aligned MOS
-
poly self-aligned MOS
-
power MOS
-
quadruple self-aligned MOS
-
refractory MOS
-
resistive-gate MOS
-
scaled-down MOS
-
scaled MOS
-
Schottky-barrier MOS
-
self-aligned MOS
-
silicon-gate technology MOS
-
silicon-gate MOS
-
silicon-on-sapphire complementary MOS
-
stacked transistors complementary MOS
-
submicrometer MOS
-
submicron MOS
-
surface gate MOS
-
three-dimensional MOS
-
transverse MOS
-
triple-polysilicon MOS
-
triple-poly MOS
-
V-groove MOS
-
V MOS -
13 MOS
структура метал–оксид–напівпровідник, МОН-структура - aluminum-gate MOS
- avalanche-injection stacked gate MOS
- avalanche stacked gate MOS
- back-gate MOS
- bulk complementary MOS
- buried-channel MOS
- buried-oxide MOS
- clocked complementary MOS
- complementary symmetry MOS
- complementary MOS
- composite-gate MOS
- depletion MOS
- dielectric-insulated MOS
- dielectric-isolated MOS
- double-diffused MOS
- double-implanted MOS
- double-level polysilicon MOS
- elevated-electrode MOS
- enhancement MOS
- floating-gate MOS
- grooved-gate MOS
- high-threshold MOS
- high-voltage MOS
- ion-implanted MOS
- lateral-merged bipolar MOS
- low-threshold MOS
- merged MOS
- multigate MOS
- n-channelMOS
- nMOS
- p-channelMOS
- pMOS
- polycrystalline silicon-gate MOS
- quadruply self-aligned MOS
- refractory MOS
- resistive-gate MOS
- scaled MOS
- Schottky-barrier MOS
- self-aligned MOS
- silicon-gate MOS
- single-channel MOS
- single-poly gate MOS
- substrate-fed MOS
- vertical MOS
- V-groove MOS
- V-notch MOS -
14 SAMOS
I f, сокрю от Self-Aligned gate MOS II f, сокрю от Stacked gate Avalanche injection MOS1) [Stacked gate Avalanche injection MOS] лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами2) [Stacked gate Avalanche injection MOS] технология получения лавинно-инжекционных МОП-структур с многоуровневыми затворами -
15 SAMOS
1) Военный термин: satellite and missile observation system2) Техника: self-aligned gate metal-oxide-semiconductore self-aligned gate MOS, silicon and aluminium MOS, stacked-gate avalanche injection MOS4) Макаров: self-aligned (gate) metal-oxide-semiconductor, stacked avalanche-injection metal-oxide-semiconductor, stacked-gate avalanche-injection metal-oxide-semiconductor -
16 Samos
1) Военный термин: satellite and missile observation system2) Техника: self-aligned gate metal-oxide-semiconductore self-aligned gate MOS, silicon and aluminium MOS, stacked-gate avalanche injection MOS4) Макаров: self-aligned (gate) metal-oxide-semiconductor, stacked avalanche-injection metal-oxide-semiconductor, stacked-gate avalanche-injection metal-oxide-semiconductor -
17 лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами
1) Engineering: stacked-gate avalanche injection MOS, stacked-gate avalanche-injection metal-oxide-semiconductor2) Electronics: avalanche-injection stacked gate mosУниверсальный русско-английский словарь > лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами
-
18 SAMOS
1. satellite and missile observation system - система наблюдения за пуском спутников и баллистических ракет;2. self-aligned gate metal-oxide-semiconductore self-aligned gate MOS - МОП-структура с самосовмещёнными затворами;3. silicon and aluminium MOS - МОП-структура кремний-алюминий;4. stacked-gate avalanche-injection metal-oxide-semiconductor; stacked-gate avalanche injection MOS - лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами; лавинно-инжекционная МОП-структура с многослойным затвором -
19 SAMOS
сущ.1) сокр. Stacked gate Avalanche injection MOS2) микроэл. Self-Aligned Gate MOS, Stacked-Gate Avalanche Injection MOS, МОП-структура с самосовмещёнными затворами, лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами, технология ( получения) МОП-структур с самосовмещёнными затворами, технология (получения) лавинно-инжекционных МОП-структур с многоуровневыми затворами -
20 лавинно-инжекционная МОП-структура с многослойным затвором
Универсальный русско-английский словарь > лавинно-инжекционная МОП-структура с многослойным затвором
- 1
- 2
См. также в других словарях:
avalanche-injection stacked-gate MOS — griūtinės injekcijos MOP darinys su daugiapakopėmis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. avalanche injection stacked gate MOS; avalanche injection stacked gate MOS structure vok. MOS Struktur mit Stapelgates und… … Radioelektronikos terminų žodynas
avalanche-injection stacked-gate MOS structure — griūtinės injekcijos MOP darinys su daugiapakopėmis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. avalanche injection stacked gate MOS; avalanche injection stacked gate MOS structure vok. MOS Struktur mit Stapelgates und… … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-Struktur mit Stapelgates und Lawineninjektion — griūtinės injekcijos MOP darinys su daugiapakopėmis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. avalanche injection stacked gate MOS; avalanche injection stacked gate MOS structure vok. MOS Struktur mit Stapelgates und… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS à injection en avalanche à grilles multicouches — griūtinės injekcijos MOP darinys su daugiapakopėmis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. avalanche injection stacked gate MOS; avalanche injection stacked gate MOS structure vok. MOS Struktur mit Stapelgates und… … Radioelektronikos terminų žodynas
Memoria reprogramable — Este artículo o sección necesita referencias que aparezcan en una publicación acreditada, como revistas especializadas, monografías, prensa diaria o páginas de Internet fidedignas. Puedes añadirlas así o avisar … Wikipedia Español
griūtinės injekcijos MOP darinys su daugiapakopėmis užtūromis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. avalanche injection stacked gate MOS; avalanche injection stacked gate MOS structure vok. MOS Struktur mit Stapelgates und Lawineninjektion, f rus. лавинно инжекционная МОП структура с… … Radioelektronikos terminų žodynas
лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами — griūtinės injekcijos MOP darinys su daugiapakopėmis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. avalanche injection stacked gate MOS; avalanche injection stacked gate MOS structure vok. MOS Struktur mit Stapelgates und… … Radioelektronikos terminų žodynas
